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電源模塊高溫失效原因
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電源模塊高溫失效原因
來源:
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作者:
pmoaf1d4f
|
發布時間:
2017-04-27
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2. 3 VDMOS
VDMOS( 垂直雙擴散場效應晶體管) 在模塊電路中作為開關器件, 在感性負載下工作, 承受高尖峰電壓和大電流, 具有較高的開關損耗和溫升, 其開關頻率可高達130 kHz, 在這樣高的頻率下工作, 可能引起內部多種退化機制, 導致VDMOS 的性能下降, 甚至失效。
在本實驗中對模塊中的VDMOS 單獨加溫, 測試模塊電學參數的變化, 通過測試得到當溫度到180℃時, 輸入電流隨溫度的升高有較為明顯的增加。而輸出電壓、輸出電流隨溫度的升高變化較小。此外計算模塊的輸出效率, 判斷模塊是否處在正常工作狀態, 通過計算可到對VDMOS 單獨加熱到180℃ 時, 模塊的輸入電流迅速增加。而當溫度升至220℃, 輸出電壓幾乎沒有變化, 由于模塊在150 ℃已經失效, 而此時單獨加熱溫度已經高達180 ℃,遠高于模塊整體加熱失效的溫度, 因此VDMOS 的溫度特性不是影響輸出電壓變化的原因。
2. 4 二極管( SBD)
在模塊中使用的二極管有穩壓二極管, 整流二極管, 其中整流二極管在電壓轉換過程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸出端, 兩個整流二極管在不同時段導通, 使交流脈動電壓轉換為直流脈動。在本實驗中, 對電路中的SBD 單獨加熱, 發現隨著溫度的升高, 模塊的輸出電壓沒有較明顯的變化。因此模塊在高溫工作的環境下, SBD 不是引起模塊輸出電壓下降的主要因素。
2. 5 光電耦合器
光電耦合器( 以下簡稱光耦) 以光為媒介傳輸電信號。它對輸入, 輸出電信號有良好的隔離作用。光耦一般由3 部分組成: 光的發射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動發光二極管( LED) , 使之發出一定波長的光, 它被光探測器接收而產生光電流, 再經過進一步放大后輸出。這就完成了電-光-電的轉換, 從而起到輸入、輸出隔離的作用。由于光耦輸入輸出間互相隔離,電信號傳輸具有單向性等特點, 因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。
在模塊中, 光耦作為隔離輸入、輸出的重要部件, 同時將輸出端比較放大器輸出的電流信號傳輸到PWM的9 腳, 而9 腳是PWM 的補償端, 它與比較器的反向輸入端相連, 控制PWM 的11 腳和14 腳輸出脈沖的寬度。從而調整模塊的輸出電壓保持穩定。
在本實驗中, 首先測試模塊中使用的光耦NEC2705 的輸入端電流與輸出端電流的比例系數隨溫度的變化, 輸入端所加電流為11 mA, 結果表明在25 時,該光耦的電流傳輸比接近1 :1, 但是隨著溫度的升高,輸入電流不變, 輸出端的電流逐漸減小, 大約每升高10 , 光耦的電流傳輸比減小4%。
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